Моя заявка (0)

Bipolar junction transistor, PNP, -500 mA, 300 V, THT, TO-126, MJE350

Bipolar junction transistor, PNP, -500 mA, 300 V, THT, TO-126, MJE350

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8026531945
Артикул
MJE350
Бренд
Continental Device India
Version
PNP
Assembly
THT
Enclosure
TO-126
Вес, г
0.05
Цена по запросу
(от 110 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Силовой транзистор, MJE350, CDIL Этот силовой транзистор из эпитаксиального кремния подxодит для использования в высоковольтныx системаx общего назначения.

Технические параметры

VersionPNP
AssemblyTHT
EnclosureTO-126
Вес, г0.05
Min DC gain30 mA
Корпусto-126
Rated current500 mA
Collector current-500 mA
Power dissipation1.25 W
Структураpnp
Max DC amplification240 mA
Transit frequency fTmin4 MHz
max. operating temperature150 °C
min. operating temperature-65 °C
max.voltage between collector and base Vcbo300 V
max.voltage between collector and emitter Vceo300 V

Техническая документация