Моя заявка (0)
MJE340G, Bipolar Transistors - BJT 0.5A 300V 20W NPN

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8005371477
Артикул
MJE340G
Бренд
ON Semiconductor***
Category
Bipolar Power
Mounting
Through Hole
Packaging
Box
Pin Count
3
Цена по запросу
(от 68,81 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор: NPN, биполярный, 300В, 0,5А, 20Вт, TO225 Характеристики Категория Транзистор Тип биполярный Вид NPN

Технические параметры

CategoryBipolar Power
MountingThrough Hole
PackagingBox
Pin Count3
Вес, г0.64
Output PowerNot Required(W)
Package TypeTO-225
Rad HardenedNo
Корпусto-126
ConfigurationSingle
Mounting TypeThrough Hole
DC Current Gain30
Transistor TypeNPN
Power Dissipation20(W)
Number of Elements1
Структураnpn
Transistor PolarityNPN
Emitter-Base Voltage3(V)
Operating Temp Range-65C to 150C
DC Current Gain (Min)30
Collector Current (DC)0.5(A)
Minimum DC Current Gain30
Transistor ConfigurationSingle
Collector-Emitter Voltage300(V)
Maximum Power Dissipation20 W
Number of Elements per Chip1
Collector Current (DC) (Max)0.5 A
Maximum DC Collector Current500 mA
Maximum Emitter Base Voltage3 V
Maximum Operating Temperature+150 °C
Maximum Collector Emitter Voltage300 V
Operating Temperature ClassificationMilitary
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт20
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)0.5
Статический коэффициент передачи тока h21э мин30
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В300
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В300

Техническая документация