MJE270G, Bipolar Transistor Array, Dual NPN, 100 V, 2 A, 15 W
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8060748227
- Артикул
- MJE270G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Category
- Bipolar Power
- Mounting
- Through Hole
- Polarity
- NPN
- Frequency
- 6 MHz
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор биполярный MJE270G от производителя ONSEMI отличается высоким качеством и надежностью. Этот компонент выполнен в корпусе TO126, предназначен для монтажа THT и относится к типу NPN Дарлингтон. Ток коллектора устройства составляет 2 А, что обеспечивает стабильную работу в широком диапазоне нагрузок. Напряжение коллектор-эмиттер данного транзистора достигает 100 В, а его мощность равна 1,5 Вт, что делает MJE270G идеальным выбором для множества электронных схем и устройств, где требуется усиление сигнала. С MJE270G ваши проекты приобретут новое качество и надежность. Характеристики Категория Транзистор Тип биполярный Вид NPN, Дарлингтон Монтаж THT Ток коллектора, А 2 Напряжение коллектор-эмиттер, В 100 Мощность, Вт 1.5 Корпус TO126
Технические параметры
| Category | Bipolar Power |
| Mounting | Through Hole |
| Polarity | NPN |
| Frequency | 6 MHz |
| Packaging | Box |
| Pin Count | 3+Tab |
| Вес, г | 0.9 |
| Длина | 7.74 mm |
| Серия | MJE270 |
| Package Type | TO-225 |
| Rad Hardened | No |
| Высота | 11.04 mm |
| Корпус | to-126 |
| Ширина | 2.66 mm |
| Configuration | Single |
| DC Current Gain | 500 |
| Frequency (Max) | 6 MHz |
| Упаковка | Bulk |
| Power Dissipation | 1.5(W) |
| Number of Elements | 1 |
| Структура | npn |
| Transistor Polarity | NPN |
| Emitter-Base Voltage | 5(V) |
| Operating Temp Range | -65C to 150C |
| Технология | Si |
| DC Current Gain (Min) | 500 |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Collector Current (DC) | 2(A) |
| Collector-Base Voltage | 100(V) |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Collector-Emitter Voltage | 100(V) |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка / блок | TO-225-3 |
| Collector Current (DC) (Max) | 2 A |
| Maximum Collector Cut-off Current | 300 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Operating Temperature Classification | Military |
| Полярность транзистора | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 15 W |
| Размер фабричной упаковки | 500 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 5 A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 100 V |
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 1.5 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 2 |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 100 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 2 A |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 2 V |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 1500 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 6 |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 500 |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 100 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 6 MHz |
| Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В | 100 |