Моя заявка (0)

MJE253G, Транзистор: PNP, биполярный, 100В, 4А, 15Вт, TO225

MJE253G, Транзистор: PNP, биполярный, 100В, 4А, 15Вт, TO225

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8017531001
Артикул
MJE253G
Бренд
ON Semiconductor***
Category
Bipolar Power
Mounting
Through Hole
Frequency
40(MHz)
Packaging
Box
Цена по запросу
(от 64,57 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор: PNP, биполярный, 100В, 4А, 15Вт, TO225 Характеристики Категория Транзистор Тип биполярный Вид PNP

Технические параметры

CategoryBipolar Power
MountingThrough Hole
Frequency40(MHz)
PackagingBox
Pin Count3
Вес, г0.65
Output PowerNot Required(W)
Package TypeTO-225
Rad HardenedNo
Корпусto-126
ConfigurationSingle
Mounting TypeThrough Hole
DC Current Gain40
Frequency (Max)40 MHz
Transistor TypePNP
Power Dissipation15(W)
Number of Elements1
Структураpnp
Transistor PolarityPNP
Emitter-Base Voltage7(V)
Operating Temp Range-65C to 150C
DC Current Gain (Min)40
Collector Current (DC)4(A)
Collector-Base Voltage100(V)
Minimum DC Current Gain40
Transistor ConfigurationSingle
Collector-Emitter Voltage100(V)
Maximum Power Dissipation15 W
Maximum Operating Frequency10 MHz
Number of Elements per Chip1
Collector Current (DC) (Max)4 A
Maximum DC Collector Current-4 A
Maximum Emitter Base Voltage7 V
Maximum Operating Temperature+150 °C
Maximum Collector Base Voltage100 V
Maximum Collector Emitter Voltage-100 V
Operating Temperature ClassificationMilitary
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт1.5
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)4
Статический коэффициент передачи тока h21э мин40
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц40
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В100
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В100

Техническая документация