Моя заявка (0)

MJE243G, Транзистор: NPN; биполярный; 100В; 4А; 15Вт; TO225

MJE243G, Транзистор: NPN; биполярный; 100В; 4А; 15Вт; TO225

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8018779433
Артикул
MJE243G
Бренд
ON Semiconductor***
RoHS
Details
Brand
ON Semiconductor
Width
2.66 mm(Max)
Height
11.04 mm(Max)
Цена по запросу
(от 86 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор: NPN; биполярный; 100В; 4А; 15Вт; TO225

Технические параметры

RoHSDetails
BrandON Semiconductor
Width2.66 mm(Max)
Height11.04 mm(Max)
Length7.74 mm(Max)
SeriesMJE243
PackagingBulk
Pin Count3
Вес, г0.65
Unit Weight0.025609 oz
ManufacturerON Semiconductor
Package TypeTO-225
Корпусto-126
ConfigurationSingle
Mounting TypeThrough Hole
Mounting StyleThrough Hole
Package / CaseTO-225-3
Transistor TypeNPN
Product CategoryBipolar Transistors-BJT
Структураnpn
Transistor PolarityNPN
Factory Pack Quantity500
Pd - Power Dissipation15 W
Minimum DC Current Gain40
Transistor ConfigurationSingle
Gain Bandwidth Product fT40 MHz
Maximum Power Dissipation15 W
Emitter- Base Voltage VEBO7 V
Maximum Operating Frequency10 MHz
Number of Elements per Chip1
Collector- Base Voltage VCBO100 V
Continuous Collector Current4 A
Maximum DC Collector Current4 A
Maximum Emitter Base Voltage7 V
Maximum Operating Temperature+150 C
Minimum Operating Temperature-65 C
DC Collector/Base Gain hfe Min40
Maximum Collector Base Voltage100 V
Maximum Collector Emitter Voltage100 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max100 V
Collector-Emitter Saturation Voltage0.6 V
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт1.5
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)4
Статический коэффициент передачи тока h21э мин40
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц40
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В100
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В100

Техническая документация