MJE200G, Trans GP BJT NPN 25V 5A 15000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8001175407
- Артикул
- MJE200G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 1
- Длина
- 7.74 mm
- Серия
- MJE200
Цена по запросу
(от 87 ₽)
Минимальный заказ: 500 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT 5A 25V 15W NPN
Технические параметры
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 1 |
| Длина | 7.74 mm |
| Серия | MJE200 |
| Package Type | TO-225 |
| Высота | 11.04 mm |
| Ширина | 2.66 mm |
| Mounting Type | Through Hole |
| Transistor Type | NPN |
| Упаковка | Bulk |
| Структура | npn |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Collector Current (Ic) | 5A |
| Power Dissipation (Pd) | 15W |
| Minimum DC Current Gain | 45 |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Transistor Configuration | Single |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Maximum Power Dissipation | 15 W |
| Transition Frequency (fT) | 65MHz |
| Maximum Operating Frequency | 10 MHz |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка / блок | TO-225-3 |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 45@2A, 1V |
| Maximum DC Collector Current | 10 A |
| Maximum Emitter Base Voltage | 8 V dc |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Collector Base Voltage | 25 V dc |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 100nA |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 40 V |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 40V |
| Полярность транзистора | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 15 W |
| Размер фабричной упаковки | 500 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 8 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 1.8V@5A, 1A |
| Непрерывный коллекторный ток | 5 A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 40 V |
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 25 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 5 A |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.8 V |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 70 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 65 MHz |