MJE180G, Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 40 V, 3 A, 12.5 W, TO-225, Through Hole
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8000886045
- Артикул
- MJE180G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- RoHS
- Details
- Brand
- ON Semiconductor
- Width
- 2.66 mm(Max)
- Height
- 11.04 mm(Max)
Цена по запросу
(от 174 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Рыночный спрос на этот продукт привел к увеличению сроков поставки. Сроки поставки могут меняться. Скидки на этот продукт не распространяются.
Технические параметры
| RoHS | Details |
| Brand | ON Semiconductor |
| Width | 2.66 mm(Max) |
| Height | 11.04 mm(Max) |
| Length | 7.74 mm(Max) |
| Series | MJE182 |
| Packaging | Bulk |
| Вес, г | 0.45 |
| Manufacturer | ON Semiconductor |
| Configuration | Single |
| Mounting Style | Through Hole |
| Package / Case | TO-225-3 |
| Product Category | Bipolar Transistors-BJT |
| Power Dissipation | 12.5Вт |
| Структура | npn |
| Transistor Polarity | NPN |
| Factory Pack Quantity | 500 |
| Pd - Power Dissipation | 1.5 W |
| DC Current Gain hFE Min | 12hFE |
| Gain Bandwidth Product fT | 50 MHz |
| Emitter- Base Voltage VEBO | 7 V |
| Collector- Base Voltage VCBO | 60 V |
| Continuous Collector Current | 3А |
| Maximum DC Collector Current | 3 A |
| Collector Emitter Voltage Max | 40В |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -65 C |
| DC Collector/Base Gain hfe Min | 50 |
| DC Усиление Тока hFE | 12hFE |
| Частота Перехода ft | 50МГц |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 40 V |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Collector-Emitter Saturation Voltage | 1.7 V |
| Полярность Транзистора | NPN |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-225 |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 3 |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 40 |