MJE18008G, Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 450 V, 8 A, TO-220AB, Through Hole
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8874425520
- Артикул
- MJE18008G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Tab
- Tab
- PPAP
- No
- Type
- NPN
- EU RoHS
- Compliant with Exemption
Цена по запросу
(от 366 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT 8A 450V 125W NPN
Технические параметры
| Tab | Tab |
| PPAP | No |
| Type | NPN |
| EU RoHS | Compliant with Exemption |
| Mounting | Through Hole |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tube |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | No |
| Lead Shape | Through Hole |
| Вес, г | 2.04 |
| Длина | 10.53 mm |
| Серия | MJE18008 |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Active |
| Package Type | TO-220AB |
| Высота | 15.75 mm |
| Корпус | TO-220 |
| Ширина | 4.83 mm |
| Configuration | Single |
| Mounting Type | Through Hole |
| Transistor Type | NPN |
| Product Category | Bipolar Power |
| Supplier Package | TO-220AB |
| Упаковка | Tube |
| Структура | npn |
| Технология | Si |
| Standard Package Name | TO |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Minimum DC Current Gain | 14@1A@5V|6@4.5A@1V|11@2A@1V|10@10mA@5V |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Transistor Configuration | Single |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Maximum Power Dissipation | 125 W |
| Maximum Operating Frequency | 1 MHz |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Maximum DC Collector Current | 8 A |
| Maximum Emitter Base Voltage | 9 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Collector Base Voltage | 10 V dc |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 125000 |
| Maximum DC Collector Current (A) | 8 |
| Maximum Emitter Base Voltage (V) | 9 |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 450 V |
| Maximum Transition Frequency (MHz) | 13(Typ) |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -65 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 450 |
| Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V) | 1.1@0.2A@2A|1.25@0.9A@4.5A |
| Полярность транзистора | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 125 W |
| Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) | 0.6@0.2A@2A|0.7@0.9A@4.5A |
| Размер фабричной упаковки | 50 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 9 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 8 A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 1 kV |
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 450 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 8 A |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.3 V |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 14 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 13 MHz |