MJE18004G, Транзистор: NPN, биполярный, 450В, 5А, 75Вт, TO220AB
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8033518122
- Артикул
- MJE18004G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 2
- Длина
- 10.53 mm
- Серия
- MJE18004
Цена по запросу
(от 300 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT 5A 1000V 75W NPN
Технические параметры
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 2 |
| Длина | 10.53 mm |
| Серия | MJE18004 |
| Package Type | TO-220AB |
| Высота | 15.75 mm |
| Корпус | TO-220AB |
| Ширина | 4.83 mm |
| Mounting Type | Through Hole |
| Transistor Type | NPN |
| Упаковка | Tube |
| Power Dissipation | 75Вт |
| Структура | npn |
| Вид монтажа | Through Hole |
| DC Current Gain hFE Min | 32hFE |
| Minimum DC Current Gain | 14 |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Transistor Configuration | Single |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Maximum Operating Frequency | 13 MHz |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Continuous Collector Current | 5А |
| Maximum DC Collector Current | 5 A |
| Maximum Emitter Base Voltage | 9 V |
| Collector Emitter Voltage Max | 450В |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| DC Усиление Тока hFE | 32hFE |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 450 V |
| Частота Перехода ft | 13МГц |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Полярность транзистора | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 75 W |
| Размер фабричной упаковки | 50 |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-220 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 9 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 5 A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 1 kV |
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 75 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 5 |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 450 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 5 A |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.92 V |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 14 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 13 MHz |