Моя заявка (0)
MJE18004G, Bipolar Transistors - BJT 5A 1000V 75W NPN

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8005371467
Артикул
MJE18004G
Бренд
ON Semiconductor***
Pin Count
3
Вес, г
2
Длина
10.53 mm
Серия
MJE18004
Цена по запросу
(от 234 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT 5A 1000V 75W NPN

Технические параметры

Pin Count3
Вес, г2
Длина10.53 mm
СерияMJE18004
Package TypeTO-220AB
Высота15.75 mm
Ширина4.83 mm
Mounting TypeThrough Hole
Transistor TypeNPN
УпаковкаTube
Power Dissipation75Вт
Структураnpn
Вид монтажаThrough Hole
DC Current Gain hFE Min32hFE
Minimum DC Current Gain14
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
Transistor ConfigurationSingle
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Maximum Operating Frequency13 MHz
Number of Elements per Chip1
Торговая маркаON Semiconductor
Упаковка / блокTO-220-3
Continuous Collector Current5А
Maximum DC Collector Current5 A
Maximum Emitter Base Voltage9 V
Collector Emitter Voltage Max450В
Maximum Operating Temperature+150 °C
DC Усиление Тока hFE32hFE
Maximum Collector Emitter Voltage450 V
Частота Перехода ft13МГц
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораThrough Hole
Полярность транзистораNPN
Pd - рассеивание мощности75 W
Размер фабричной упаковки50
Стиль Корпуса ТранзистораTO-220
Напряжение эмиттер-база (VEBO)9 V
Непрерывный коллекторный ток5 A
Напряжение коллектор-база (VCBO)1 kV
Минимальная рабочая температура65 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.450 V
Максимальный постоянный ток коллектора5 A
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер0.92 V
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)14
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)13 MHz

Техническая документация