MJE172G, Транзистор: PNP, биполярный, 100В, 3А, 1,5Вт, TO225
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017536549
- Артикул
- MJE172G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Category
- Bipolar Power
- Mounting
- Through Hole
- Frequency
- 50(MHz)
- Packaging
- Box
Цена по запросу
(от 39,78 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: PNP, биполярный, 100В, 3А, 1,5Вт, TO225 Характеристики Категория Транзистор Тип биполярный Вид PNP
Технические параметры
| Category | Bipolar Power |
| Mounting | Through Hole |
| Frequency | 50(MHz) |
| Packaging | Box |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 0.68 |
| Длина | 7.74 mm |
| Серия | MJE172 |
| Output Power | Not Required(W) |
| Package Type | TO-225AA |
| Rad Hardened | No |
| Высота | 11.04 mm |
| Корпус | TO-225 |
| Ширина | 2.66 mm |
| Configuration | Single |
| Mounting Type | Through Hole |
| DC Current Gain | 50 |
| Frequency (Max) | 50 MHz |
| Transistor Type | PNP |
| Упаковка | Bulk |
| Power Dissipation | 1.5(W) |
| Number of Elements | 1 |
| Структура | pnp |
| Transistor Polarity | PNP |
| Emitter-Base Voltage | 7(V) |
| Operating Temp Range | -65C to 150C |
| Технология | Si |
| DC Current Gain (Min) | 50 |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Collector Current (DC) | 3(A) |
| Collector-Base Voltage | 100(V) |
| Minimum DC Current Gain | 50 |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Transistor Configuration | Single |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Collector-Emitter Voltage | 80(V) |
| Maximum Power Dissipation | 12.5 W |
| Maximum Operating Frequency | 10 MHz |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка / блок | TO-225-3 |
| Collector Current (DC) (Max) | 3 A |
| Maximum DC Collector Current | -3 A |
| Maximum Emitter Base Voltage | 7 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Collector Base Voltage | 100 V |
| Maximum Collector Emitter Voltage | -80 V |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Operating Temperature Classification | Military |
| Полярность транзистора | PNP |
| Pd - рассеивание мощности | 1.5 W |
| Размер фабричной упаковки | 500 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 7 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 3 A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 100 V |
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 1.5 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 3 |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 80 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 3 A |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.7 V |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 50 |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 100 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 50 MHz |