Моя заявка (0)

MJE170G, Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, 40 V, 3 A, 12.5 W, TO-225, Through Hole

MJE170G, Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, 40 V, 3 A, 12.5 W, TO-225, Through Hole

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8001086317
Артикул
MJE170G
Бренд
ON Semiconductor***
Category
Bipolar Power
Mounting
Through Hole
Frequency
50(MHz)
Packaging
Box
Цена по запросу
(от 139 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

ТРАНЗИСТОР, PNP, -40V, -3A, TO-225; Полярность транзистора: PNP; Напряжение коллектор-эмиттер V(br)ceo:40 В; Частота переxода ft:50 МГц; Рассеиваемая мощность Pd:12,5 Вт; Ток коллектора постоянного тока:-3A; Коэффициент усиления по постоянному току hFE:12hFE; Тип корпуса транзистора:TO-225; Количество контактов:3; Максимальная рабочая температура: 150°C; Ассортимент продукции: -; Автомобильный квалификационный стандарт:-; MSL:-; SVHC:Без SVHC (27 июня 2018 г.)

Технические параметры

CategoryBipolar Power
MountingThrough Hole
Frequency50(MHz)
PackagingBox
Pin Count3+Tab
Вес, г1
Output PowerNot Required(W)
Package TypeTO-225
Rad HardenedNo
ConfigurationSingle
DC Current Gain50
Frequency (Max)50 MHz
Power Dissipation12.5Вт
Number of Elements1
Структураpnp
Transistor PolarityPNP
Emitter-Base Voltage7(V)
Operating Temp Range-65C to 150C
DC Current Gain (Min)50
Collector Current (DC)3(A)
Collector-Base Voltage60(V)
DC Current Gain hFE Min12hFE
Collector-Emitter Voltage40(V)
Collector Current (DC) (Max)3 A
Continuous Collector Current3А
Collector Emitter Voltage Max40В
DC Усиление Тока hFE12hFE
Частота Перехода ft50МГц
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораThrough Hole
Operating Temperature ClassificationMilitary
Полярность ТранзистораPNP
Стиль Корпуса ТранзистораTO-225
Максимальная Рабочая Температура150°C
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)3
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В40

Техническая документация