Моя заявка (0)

MJE15035G, Trans GP BJT PNP 350V 4A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

MJE15035G, Trans GP BJT PNP 350V 4A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8001225571
Артикул
MJE15035G
Бренд
ON Semiconductor***
Category
Bipolar Power
Mounting
Through Hole
Frequency
30(MHz)
Packaging
Rail/Tube
Цена по запросу
(от 239 ₽)
Минимальный заказ: 50 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор: PNP, биполярный, 350В, 4А, 50Вт, TO220AB Характеристики Категория Транзистор Тип биполярный Вид PNP

Технические параметры

CategoryBipolar Power
MountingThrough Hole
Frequency30(MHz)
PackagingRail/Tube
Pin Count3
Вес, г1
Output PowerNot Required(W)
Package TypeTO-220AB
Rad HardenedNo
КорпусTO-220
Mounting TypeThrough Hole
DC Current Gain100
Frequency (Max)30 MHz
Transistor TypePNP
Power Dissipation2(W)
Number of Elements1
Структураpnp
Transistor PolarityPNP
Emitter-Base Voltage5(V)
Operating Temp Range-65C to 150C
DC Current Gain (Min)100
Collector Current (DC)4(A)
Collector-Base Voltage350(V)
Transistor ConfigurationSingle
Collector-Emitter Voltage350(V)
Maximum Power Dissipation50 W
Maximum Operating Frequency30 MHz
Number of Elements per Chip1
Collector Current (DC) (Max)4 A
Maximum DC Collector Current-4 A
Maximum Emitter Base Voltage5 V
Maximum Operating Temperature+150 °C
Maximum Collector Base Voltage350 V
Maximum Collector Emitter Voltage-350 V
Operating Temperature ClassificationMilitary
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт2
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)4
Статический коэффициент передачи тока h21э мин100
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц30
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В350
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В350

Техническая документация