MJE15032G,Bipolar (BJT) Single Transistor, Audio, NPN, 250 V, 8 A, 50 W, TO-220, Through Hole
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8511769550
- Артикул
- MJE15032G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- HTS
- 8541.29.00.95
- Tab
- Tab
- RoHS
- Details
- Type
- NPN
Цена по запросу
(от 333 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
ON Semiconductor MJE15032G представляет собой биполярный транзистор NPN на 250 В, 8 А в корпусе TO-220-3. Этот биполярный силовой транзистор предназначен для использования в качестве высокочастотного драйвера в аудиоусилителяx.
Технические параметры
| HTS | 8541.29.00.95 |
| Tab | Tab |
| RoHS | Details |
| Type | NPN |
| Brand | ON Semiconductor |
| Width | 4.83 mm |
| Height | 15.75 mm |
| Length | 10.53 mm |
| Series | MJE15032 |
| EU RoHS | Compliant with Exemption |
| Material | Si |
| Military | No |
| Mounting | Through Hole |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tube |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | No |
| Lead Shape | Through Hole |
| Вес, г | 2 |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Active |
| Unit Weight | 0.211644 oz |
| Manufacturer | ON Semiconductor |
| Package Type | TO-220AB |
| Корпус | TO-220 | to-220 |
| Configuration | Single |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package Width | 4.83(Max) |
| Mounting Style | Through Hole |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Package Height | 9.28(Max) |
| Package Length | 10.53(Max) |
| Transistor Type | NPN |
| Product Category | Bipolar Power |
| Supplier Package | TO-220AB |
| Структура | npn |
| Transistor Polarity | NPN |
| Factory Pack Quantity | 50 |
| Standard Package Name | TO-220 |
| Pd - Power Dissipation | 50 W |
| Minimum DC Current Gain | 10@2A@5V|70@500mA@5V|50@1A@5V |
| Transistor Configuration | Single |
| Gain Bandwidth Product fT | 30 MHz |
| Maximum Power Dissipation | 2 W |
| Emitter- Base Voltage VEBO | 5 V |
| Maximum Operating Frequency | 30 MHz |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Collector- Base Voltage VCBO | 250 V |
| Continuous Collector Current | 8 A |
| Maximum DC Collector Current | 8 A |
| Maximum Emitter Base Voltage | 5 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -65 C |
| Maximum Collector Base Voltage | 250 V |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 2000 |
| Maximum DC Collector Current (A) | 8 |
| Maximum Emitter Base Voltage (V) | 5 |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 250 V |
| Maximum Collector Base Voltage (V) | 250 |
| Maximum Transition Frequency (MHz) | 30(Min) |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 250 V |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -65 |
| Collector-Emitter Saturation Voltage | 0.5 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 250 |
| Maximum Collector Cut-Off Current (nA) | 10000 |
| Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) | 0.5@0.1A@1A |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 2 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 8 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 10 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 30 |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 250 |
| Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В | 250 |