Моя заявка (0)

MJE15031G, Trans GP BJT PNP 150V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

MJE15031G, Trans GP BJT PNP 150V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8001070283
Артикул
MJE15031G
Бренд
ON Semiconductor***
RoHS
Details
Brand
ON Semiconductor
Width
4.83 mm
Height
15.75 mm
Цена по запросу
(от 282 ₽)
Минимальный заказ: 150 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор: PNP, биполярный, 150В, 8А, 50Вт, TO220AB Характеристики Категория Транзистор Тип биполярный Вид PNP

Технические параметры

RoHSDetails
BrandON Semiconductor
Width4.83 mm
Height15.75 mm
Length10.53 mm
SeriesMJE15031
PackagingTube
Pin Count3
Вес, г1
Unit Weight0.211644 oz
ManufacturerON Semiconductor
Package TypeTO-220AB
КорпусTO-220
ConfigurationSingle
Mounting TypeThrough Hole
Mounting StyleThrough Hole
Package / CaseTO-220-3
Transistor TypePNP
Product CategoryBipolar Transistors-BJT
Структураpnp
Transistor PolarityPNP
Factory Pack Quantity50
Pd - Power Dissipation50 W
Transistor ConfigurationSingle
Gain Bandwidth Product fT30 MHz
Maximum Power Dissipation50 W
Emitter- Base Voltage VEBO5 V
Maximum Operating Frequency30 MHz
Number of Elements per Chip1
Collector- Base Voltage VCBO150 V
Continuous Collector Current8 A
Maximum DC Collector Current8 A
Maximum Emitter Base Voltage5 V
Maximum Operating Temperature+150 C
Minimum Operating Temperature-65 C
DC Collector/Base Gain hfe Min40
Maximum Collector Base Voltage150 V
Maximum Collector Emitter Voltage-150 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max150 V
Collector-Emitter Saturation Voltage0.5 V
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт50
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)8
Статический коэффициент передачи тока h21э мин40
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц30
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В150
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В150

Техническая документация