Моя заявка (0)

MJE15030G, Транзистор: NPN, биполярный, 150В, 8А, 50Вт, TO220AB

MJE15030G, Транзистор: NPN, биполярный, 150В, 8А, 50Вт, TO220AB

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8017536453
Артикул
MJE15030G
Бренд
ON Semiconductor***
HTS
8541.29.00.95
Tab
Tab
Type
NPN
EU RoHS
Compliant with Exemption
Цена по запросу
(от 245 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор: NPN, биполярный, 150В, 8А, 50Вт, TO220AB Характеристики Категория Транзистор Тип биполярный Вид NPN

Технические параметры

HTS8541.29.00.95
TabTab
TypeNPN
EU RoHSCompliant with Exemption
MaterialSi
MilitaryNo
MountingThrough Hole
ECCN (US)EAR99
PackagingTube
Pin Count3
AutomotiveNo
Lead ShapeThrough Hole
Вес, г2
PCB changed3
Part StatusActive
Package TypeTO-220AB
КорпусTO-220AB
ConfigurationSingle
Mounting TypeThrough Hole
Package Width4.83(Max)
Package Height9.28(Max)
Package Length10.53(Max)
Transistor TypeNPN
Product CategoryBipolar Power
Supplier PackageTO-220AB
Структураnpn
Standard Package NameTO-220
Minimum DC Current Gain40@100mA@2V|20@4A@2V|40@3A@2V|40@2A@2V
Transistor ConfigurationSingle
Maximum Power Dissipation50 W
Maximum Operating Frequency30 MHz
Number of Elements per Chip1
Maximum DC Collector Current8 A
Maximum Emitter Base Voltage5 V
Maximum Operating Temperature+150 °C
Maximum Collector Base Voltage150 V
Maximum Power Dissipation (mW)50000
Maximum DC Collector Current (A)8
Maximum Emitter Base Voltage (V)5
Maximum Collector Emitter Voltage150 V
Maximum Collector Base Voltage (V)150
Maximum Transition Frequency (MHz)30(Min)
Maximum Operating Temperature (°C)150
Minimum Operating Temperature (°C)-65
Maximum Collector-Emitter Voltage (V)150
Maximum Collector Cut-Off Current (nA)10000
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)0.5@0.1A@1A
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт50
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)8

Техническая документация