Моя заявка (0)
MJE15029G, Bipolar Transistors - BJT 8A 120V 50W PNP

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8005526245
Артикул
MJE15029G
Бренд
ON Semiconductor***
Pin Count
3
Вес, г
3.5
Длина
10.53 mm
Серия
MJE15029
Цена по запросу
(от 314 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор: PNP, биполярный, 120В, 8А, 50Вт, TO220AB Характеристики Категория Транзистор Тип биполярный Вид PNP

Технические параметры

Pin Count3
Вес, г3.5
Длина10.53 mm
СерияMJE15029
Package TypeTO-220AB
Высота15.75 mm
Ширина4.83 mm
Mounting TypeThrough Hole
Transistor TypePNP
УпаковкаTube
Структураpnp
Вид монтажаThrough Hole
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
Transistor ConfigurationSingle
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Maximum Power Dissipation50 W
Maximum Operating Frequency30 MHz
Number of Elements per Chip1
Торговая маркаON Semiconductor
Упаковка / блокTO-220-3
Maximum DC Collector Current-8 A
Maximum Emitter Base Voltage5 V
Maximum Operating Temperature+150 °C
Maximum Collector Base Voltage120 V
Maximum Collector Emitter Voltage-120 V
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
Полярность транзистораPNP
Pd - рассеивание мощности50 W
Размер фабричной упаковки50
Напряжение эмиттер-база (VEBO)5 V
Непрерывный коллекторный ток8 A
Напряжение коллектор-база (VCBO)120 V
Минимальная рабочая температура65 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)8
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.120 V
Максимальный постоянный ток коллектора8 A
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер0.5 V
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)40
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)30 MHz

Техническая документация