MJE15028G NPN Transistor, 8 A, 120 V, 3-Pin TO-220AB
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8629089716
- Артикул
- MJE15028G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Category
- Bipolar Power
- Mounting
- Through Hole
- Frequency
- 30(MHz)
- Packaging
- Rail/Tube
Цена по запросу
(от 480 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовые NPN-транзисторы НА полупроводниковыx
Технические параметры
| Category | Bipolar Power |
| Mounting | Through Hole |
| Frequency | 30(MHz) |
| Packaging | Rail/Tube |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 3.5 |
| Длина | 10.53 mm |
| Серия | MJE15028 |
| Output Power | Not Required(W) |
| Package Type | TO-220AB |
| Rad Hardened | No |
| Высота | 15.75 mm |
| Корпус | TO-220 | TO-220AB |
| Ширина | 4.83 mm |
| Configuration | Single |
| Mounting Type | Through Hole |
| DC Current Gain | 40 |
| Frequency (Max) | 30 MHz |
| Transistor Type | NPN |
| Упаковка | Tube |
| Power Dissipation | 50(W) |
| Number of Elements | 1 |
| Структура | npn |
| Transistor Polarity | NPN |
| Emitter-Base Voltage | 5(V) |
| Operating Temp Range | -65C to 150C |
| DC Current Gain (Min) | 40 |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Collector Current (DC) | 8(A) |
| Collector-Base Voltage | 120(V) |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Transistor Configuration | Single |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Collector-Emitter Voltage | 120(V) |
| Maximum Power Dissipation | 50 W |
| Maximum Operating Frequency | 30 MHz |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Collector Current (DC) (Max) | 8 A |
| Maximum DC Collector Current | 8 A |
| Maximum Emitter Base Voltage | 5 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Collector Base Voltage | 120 V |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 120 V |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Operating Temperature Classification | Military |
| Полярность транзистора | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 50 W |
| Размер фабричной упаковки | 50 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 8 A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 120 V |
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 120 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 8 A |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.5 V |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 40 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 30 MHz |