MJD50T4G,Bipolar (BJT) Single Transistor, General Purpose, NPN, 400 V, 1 A, 15 W, TO-252 (DPAK)
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8819821766
- Артикул
- MJD50T4G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Brand
- ON Semiconductor
- Series
- MJD50
- Packaging
- Cut Tape or Reel
- Pin Count
- 3
Цена по запросу
(от 113 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: NPN, биполярный, 400В, 1А, 15Вт, DPAK Характеристики Категория Транзистор Тип биполярный Вид NPN
Технические параметры
| Brand | ON Semiconductor |
| Series | MJD50 |
| Packaging | Cut Tape or Reel |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 0.363 |
| Subcategory | Transistors |
| Manufacturer | ON Semiconductor |
| Package Type | DPAK(TO-252) |
| Product Type | BJTs-Bipolar Transistors |
| Корпус | DPAK/TO-252 | TO252 |
| Configuration | Single |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | TO-252-3 |
| Transistor Type | NPN |
| Product Category | Bipolar Transistors-BJT |
| Структура | npn |
| Transistor Polarity | NPN |
| Factory Pack Quantity | 2500 |
| Pd - Power Dissipation | 15 W |
| Minimum DC Current Gain | 30 |
| Transistor Configuration | Single |
| Gain Bandwidth Product FT | 10 MHz |
| Maximum Power Dissipation | 1.56 W |
| Emitter- Base Voltage VEBO | 5 V |
| Maximum Operating Frequency | 10 MHz |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Collector- Base Voltage VCBO | 500 V |
| Continuous Collector Current | 1 A |
| Maximum DC Collector Current | 1 A |
| Maximum Emitter Base Voltage | 5 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -65 C |
| DC Collector/Base Gain Hfe Min | 30 |
| Maximum Collector Base Voltage | 500 V |
| кол-во в упаковке | 2500 |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 400 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 400 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage | 1 V |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 1 |