MJD50G, Bipolar Transistors - BJT 1A 400V 15W NPN
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005371460
- Артикул
- MJD50G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- RoHS
- Details
- Brand
- ON Semiconductor
- Width
- 6.22 mm
- Height
- 2.38 mm
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
ТРАНЗИСТОР, NPN, D-PAK; Полярность транзистора: NPN; Напряжение коллектор-эмиттер, V(br) ceo: 400 В; Частота переxода ft: 10 МГц; Рассеиваемая мощность Pd: 1,56 Вт; Ток коллектора постоянного тока: 1 А; Коэффициент усиления по постоянному току hFE:30hFE; Тип корпуса транзистора: TO-252; Номер. количество контактов: 4; Максимальная рабочая температура: 150°C; Ассортимент продукции: -; Автомобильный квалификационный стандарт: AEC-Q101; MSL: MSL 1 - Неограниченный; SVHC: Ведущий (27 июня 2018 г.); Код приложения: PGP; Напряжение насыщения коллектора-эмиттера Vce (включено): 1 В; Постоянный ток коллектора Ic Max: 1A; Постоянный ток Ic Max: 1A; Ток Ic hFE: 200 мА; Внешняя глубина: 10,28 мм; Внешняя длина / высота: 2,38 мм; Внешняя ширина: 6,73 мм; Номинальная температура при полной мощности: 25°C; Минимальная полоса усиления ft: 10 МГц; Ширина полосы усиления тип ft: 10 МГц; Минимальное значение Hfe: 25; Количество транзисторов: 1; Минимальная рабочая температура: -65°C; Диапазон рабочиx температур: от -65°C до +150°C; Максимальная рассеиваемая мощность: 15 Вт; Маркировка SMD: MJD50; Напряжение Vcbo: 500 В
Технические параметры
| RoHS | Details |
| Brand | ON Semiconductor |
| Width | 6.22 mm |
| Height | 2.38 mm |
| Length | 6.73 mm |
| Series | MJD50 |
| Packaging | Reel |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 0.4 |
| Manufacturer | ON Semiconductor |
| Package Type | DPAK(TO-252) |
| Configuration | Single |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | TO-252-3 |
| Transistor Type | NPN |
| Product Category | Bipolar Transistors-BJT |
| Структура | npn |
| Transistor Polarity | NPN |
| Factory Pack Quantity | 2500 |
| Pd - Power Dissipation | 15 W |
| Minimum DC Current Gain | 30 |
| Transistor Configuration | Single |
| Gain Bandwidth Product fT | 10 MHz |
| Maximum Power Dissipation | 15 W |
| Emitter- Base Voltage VEBO | 5 V |
| Maximum Operating Frequency | 2 MHz |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Collector- Base Voltage VCBO | 500 V |
| Continuous Collector Current | 1 A |
| Maximum DC Collector Current | 1 A |
| Maximum Emitter Base Voltage | 5 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -65 C |
| DC Collector/Base Gain hfe Min | 30 |
| Maximum Collector Base Voltage | 500 V dc |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 400 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 400 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage | 1 V |