Моя заявка (0)

MJD47T4G, 250V 15W 30@300mA,10V 1A 10MHz 1V@1A,200mA NPN -65°C~+150°C@(Tj) TO-252-3 BIpolar TransIstors - BJT

MJD47T4G, 250V 15W 30@300mA,10V 1A 10MHz 1V@1A,200mA NPN -65°C~+150°C@(Tj) TO-252-3 BIpolar TransIstors - BJT

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8017637318
Артикул
MJD47T4G
Бренд
ON Semiconductor***
Вес, г
0.39
Power - Max
1.56 W
Корпус
TO-252-3, DPak
Mounting Type
Surface Mount
Цена по запросу
(от 75,32 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярный (BJT) транзистор NPN 250 В 1 А 10 МГц 1,56 Вт для поверxностного монтажа DPAK

Технические параметры

Вес, г0.39
Power - Max1.56 W
КорпусTO-252-3, DPak
Mounting TypeSurface Mount
Package / CaseTO-252-3, DPAK(2 Leads+Tab), SC-63
Transistor TypeNPN
Структураnpn
Operating Temperature-65°C ~ 150°C(TJ)
Frequency - Transition10MHz
Supplier Device PackageDPAK
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic1V @ 200mA, 1A
Current - Collector (Ic) (Max)1 A
Current - Collector Cutoff (Max)200µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce30 @ 300mA, 10V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)250 V
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц10

Техническая документация