MJD45H11TF, Trans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8002305738
- Артикул
- MJD45H11TF
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Tab
- Tab
- PPAP
- No
- SVHC
- Yes
- Type
- PNP
Цена по запросу
(от 130 ₽)
Минимальный заказ: 743 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Trans GP BJT PNP 80V 8A 1750 МВт 3-контактный (2+вкладки) DPAK T/R
Технические параметры
| Tab | Tab |
| PPAP | No |
| SVHC | Yes |
| Type | PNP |
| Material | Si |
| Mounting | Surface Mount |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | No |
| Вес, г | 0.05 |
| PCB changed | 2 |
| Part Status | Obsolete |
| Корпус | TO-252/DPAK |
| Configuration | Single |
| Package Width | 6.3(Max)mm |
| Package Length | 6.8(Max)mm |
| Product Category | Bipolar Power |
| Supplier Package | DPAK |
| Структура | pnp |
| Standard Package Name | TO |
| SVHC Exceeds Threshold | Yes |
| Minimum DC Current Gain | 60@2A@1V|40@4A@1V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 1750 |
| Maximum Base-Emitter Voltage (V) | 5 |
| Maximum DC Collector Current (A) | 8 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 80 |
| Maximum Base-Emitter Saturation Voltage (V) | 1.5@0.8A@8A |
| Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) | 1@0.4A@8A |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 8 |