Моя заявка (0)

MJD45H11T4G, Транзистор: PNP, биполярный, 80В, 8А, 20Вт, DPAK

MJD45H11T4G, Транзистор: PNP, биполярный, 80В, 8А, 20Вт, DPAK

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8062937245
Артикул
MJD45H11T4G
Бренд
ON Semiconductor***
RoHS
Details
Brand
ON Semiconductor
Width
6.22 mm
Height
2.38 mm
Цена по запросу
(от 93 ₽)
Минимальный заказ: 2500 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор: PNP, биполярный, 80В, 8А, 20Вт, DPAK Характеристики Категория Транзистор Тип биполярный Вид PNP

Технические параметры

RoHSDetails
BrandON Semiconductor
Width6.22 mm
Height2.38 mm
Length6.73 mm
SeriesMJD45H11
PackagingReel
Pin Count3
Вес, г0.38
ManufacturerON Semiconductor
Package TypeDPAK(TO-252)
КорпусTO-252/DPAK | dpak(to-252)
ConfigurationSingle
Mounting TypeSurface Mount
Mounting StyleSMD/SMT
Package / CaseTO-252-3
Transistor TypePNP
Product CategoryBipolar Transistors-BJT
Структураpnp
Transistor PolarityPNP
Factory Pack Quantity2500
Pd - Power Dissipation20 W
Minimum DC Current Gain60
Transistor ConfigurationSingle
Gain Bandwidth Product fT90 MHz
Maximum Power Dissipation1.75 W
Emitter- Base Voltage VEBO5 V
Maximum Operating Frequency90 MHz
Number of Elements per Chip1
Collector- Base Voltage VCBO5 V
Continuous Collector Current8 A
Maximum DC Collector Current8 A
Maximum Emitter Base Voltage5 V
Maximum Operating Temperature+150 C
Minimum Operating Temperature-55 C
DC Collector/Base Gain hfe Min60
кол-во в упаковке2500
Maximum Collector Emitter Voltage-80 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max80 V
Collector-Emitter Saturation Voltage1 V
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт20 | 1.75
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)8
Статический коэффициент передачи тока h21э мин40
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц90
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В80
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В80

Техническая документация