MJD45H11J, Транзистор: PNP
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8034497034
- Артикул
- MJD45H11J
- Бренд
- Nexperia B.V.
- ECCN
- EAR99
- HTSUS
- 8541.29.0075
- Package
- Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
- Вес, г
- 0.32
Цена по запросу
(от 51,06 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT TRANS BIPOLAR
Технические параметры
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0075 |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| Вес, г | 0.32 |
| Power - Max | 1.75W |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Transistor Type | PNP |
| Упаковка | Reel, Cut Tape |
| Power Dissipation | 20Вт |
| Структура | pnp |
| Base Product Number | MJD45H11 -> |
| Технология | Si |
| Operating Temperature | 150В°C (TJ) |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Frequency - Transition | 80MHz |
| DC Current Gain hFE Min | 40hFE |
| Supplier Device Package | DPAK |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Торговая марка | Nexperia |
| Упаковка / блок | DPAK-3 |
| Continuous Collector Current | 8А |
| Collector Emitter Voltage Max | 80В |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 400mA, 8A |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 8A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1ВµA |
| DC Усиление Тока hFE | 40hFE |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Линейка Продукции | MJD |
| Частота Перехода ft | 80МГц |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 2A, 1V |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 80V |
| Полярность транзистора | PNP |
| Pd - рассеивание мощности | 20 W |
| Другие названия товара № | 934660547118 |
| Размер фабричной упаковки | 2500 |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-252(DPAK) |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 8 A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 80 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 80 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 16 A |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1 V |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 60 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 80 MHz |