MJD45H11-1G, Транзистор p-n-p 80В 8A 20Вт 90MHz DPAK-3
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017528426
- Артикул
- MJD45H11-1G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- MSL
- MSL 1-Unlimited
- Tab
- Tab
- PPAP
- No
- RoHS
- Details
Цена по запросу
(от 104,96 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
ТРАНЗИСТОР, PNP, -80V, -8A, TO-251; Полярность транзистора: PNP; Напряжение коллектор-эмиттер V(br)ceo: -80 В; Частота переxода ft:90 МГц; Рассеиваемая мощность Pd:20 Вт; Ток коллектора постоянного тока:-8A; Коэффициент усиления по постоянному току hFE:40hFE; Тип корпуса транзистора:TO-251; Количество контактов:3; Максимальная рабочая температура: 150°C; Ассортимент продукции:-; Автомобильный квалификационный стандарт: AEC-Q101; MSL: MSL 1 - неограниченный; SVHC:Ведущий (27 июня 2018 г.)
Технические параметры
| MSL | MSL 1-Unlimited |
| Tab | Tab |
| PPAP | No |
| RoHS | Details |
| SVHC | Yes |
| Type | PNP |
| Brand | ON Semiconductor |
| Width | 2.38 mm |
| Height | 6.35 mm |
| Length | 6.73 mm |
| Series | MJD45H11 |
| EU RoHS | Compliant with Exemption |
| Material | Si |
| Mounting | Through Hole |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tube |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | No |
| Lead Shape | Through Hole |
| Вес, г | 0.81 |
| No. of Pins | 3Pins |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Active |
| Unit Weight | 0.012346 oz |
| Manufacturer | ON Semiconductor |
| Package Type | IPAK(TO-251) |
| Корпус | TO-252/DPAK |
| Configuration | Single |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package Width | 2.38(Max) |
| Qualification | AEC-Q101 |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | DPAK-3 |
| Package Length | 6.73(Max) |
| Transistor Type | PNP |
| Product Category | Bipolar Transistors-BJT |
| Supplier Package | IPAK |
| Power Dissipation | 20W |
| Структура | pnp |
| Transistor Mounting | Through Hole |
| Transistor Polarity | PNP |
| Transition Frequency | 90MHz |
| Factory Pack Quantity | 75 |
| Standard Package Name | TO-251 |
| Transistor Case Style | TO-251 |
| Pd - Power Dissipation | 20 W |
| SVHC Exceeds Threshold | Yes |
| DC Current Gain hFE Min | 40hFE |
| Minimum DC Current Gain | 60 |
| Transistor Configuration | Single |
| Gain Bandwidth Product fT | 90 MHz |
| Maximum Power Dissipation | 20 W |
| Operating Temperature Max | 150°C |
| Emitter- Base Voltage VEBO | 5 V |
| Maximum Operating Frequency | 20 MHz |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Collector- Base Voltage VCBO | 5 V |
| Continuous Collector Current | 8 A |
| Maximum DC Collector Current | 8 A |
| Maximum Emitter Base Voltage | 5 V |
| Collector Emitter Voltage Max | 80V |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| DC Collector/Base Gain hfe Min | 60 |
| Maximum Collector Base Voltage | 10 V dc |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 1750 |
| Maximum DC Collector Current (A) | 8 |
| Maximum Emitter Base Voltage (V) | 5 |
| Maximum Collector Emitter Voltage | -80 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 80 V |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Collector-Emitter Saturation Voltage | 1 V |
| Operating Junction Temperature (°C) | -55 to 150 |
| Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 80 |
| Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V) | 1.5@0.8A@8A |
| Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) | 1@0.4A@8A |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 20 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 8 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 90 |