Моя заявка (0)

MJD44H11RLG, Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

MJD44H11RLG, Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8001040925
Артикул
MJD44H11RLG
Бренд
ON Semiconductor***
Case
DPAK
Mounting
SMD
Frequency
85MHz
Pin Count
2+Tab
Цена по запросу
(от 97 ₽)
Минимальный заказ: 1800 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

MJD44H11RLG - это биполярный силовой транзистор NPN емкостью 8 А, предназначенный для питания общего назначения и коммутации выxодныx сигналов или каскадов управления в такиx приложенияx, как импульсные регуляторы, преобразователи и усилители мощности. • Электрически аналогичен популярным сериям D44H/D45H • Высокая скорость переключения • Дополнительные пары упрощают конструкцию • Соответствует требованиям стандарта AEC-Q101 и поддерживает PPAP

Технические параметры

CaseDPAK
MountingSMD
Frequency85MHz
Pin Count2+Tab
Вес, г1
ManufacturerONSEMI
Package TypeDPAK(TO-252)
Polarisationbipolar
КорпусTO-252/DPAK
Mounting TypeSurface Mount
Kind of packagereel, tape
Transistor TypeNPN
Collector current8A
Power Dissipation20Вт
Type of transistorNPN
Структураnpn
DC Current Gain hFE Min40hFE
Minimum DC Current Gain60
Transistor ConfigurationSingle
Collector-emitter voltage80V
Maximum Power Dissipation20 W
Number of Elements per Chip1
Continuous Collector Current8А
Maximum Emitter Base Voltage5 V dc
Collector Emitter Voltage Max80В
Maximum Operating Temperature+150 °C
DC Усиление Тока hFE40hFE
Maximum Collector Emitter Voltage80 V dc
Частота Перехода ft85МГц
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Полярность ТранзистораNPN
Стиль Корпуса ТранзистораTO-252(DPAK)
Максимальная Рабочая Температура150 C
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)8
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный

Техническая документация