Моя заявка (0)
MJD44H11G, Bipolar Transistors - BJT 8A 80V 20W NPN

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8005371453
Артикул
MJD44H11G
Бренд
ON Semiconductor***
Category
Bipolar Power
Mounting
Surface Mount
Frequency
85(MHz)
Packaging
Tape and Reel
Цена по запросу
(от 162 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор: NPN, биполярный, 80В, 8А, 20Вт, DPAK Характеристики Категория Транзистор Тип биполярный Вид NPN

Технические параметры

CategoryBipolar Power
MountingSurface Mount
Frequency85(MHz)
PackagingTape and Reel
Pin Count3
Вес, г0.32
Output PowerNot Required(W)
Package TypeDPAK(TO-252)
Rad HardenedNo
КорпусDPAK
ConfigurationSingle
Mounting TypeSurface Mount
DC Current Gain60
Transistor TypeNPN
Power Dissipation1.75(W)
Number of Elements1
Структураnpn
Transistor PolarityNPN
Emitter-Base Voltage5(V)
Operating Temp Range-55C to 150C
Collector Current (DC)8(A)
Pd - Power Dissipation1.75W
Minimum DC Current Gain60
Transistor ConfigurationSingle
Collector-Emitter Voltage80(V)
Maximum Power Dissipation1.75 W
Maximum Operating Frequency85 MHz
Number of Elements per Chip1
Maximum DC Collector Current8A
Maximum Emitter Base Voltage5 V
Maximum Operating Temperature+150 °C
Maximum Collector Emitter Voltage80 V
Collector-Emitter Breakdown Voltage80V
Operating Temperature ClassificationMilitary
Hfe при напряжении к-э, В1
Hfe при токе коллектора, А4
Диапазон рабочих температур, оС-55…150
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт20
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)8
Статический коэффициент передачи тока hfe мин40
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц85
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В80

Техническая документация