MJD44H11G, Bipolar Transistors - BJT 8A 80V 20W NPN

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005371453
- Артикул
- MJD44H11G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Category
- Bipolar Power
- Mounting
- Surface Mount
- Frequency
- 85(MHz)
- Packaging
- Tape and Reel
Цена по запросу
(от 162 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: NPN, биполярный, 80В, 8А, 20Вт, DPAK Характеристики Категория Транзистор Тип биполярный Вид NPN
Технические параметры
| Category | Bipolar Power |
| Mounting | Surface Mount |
| Frequency | 85(MHz) |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 0.32 |
| Output Power | Not Required(W) |
| Package Type | DPAK(TO-252) |
| Rad Hardened | No |
| Корпус | DPAK |
| Configuration | Single |
| Mounting Type | Surface Mount |
| DC Current Gain | 60 |
| Transistor Type | NPN |
| Power Dissipation | 1.75(W) |
| Number of Elements | 1 |
| Структура | npn |
| Transistor Polarity | NPN |
| Emitter-Base Voltage | 5(V) |
| Operating Temp Range | -55C to 150C |
| Collector Current (DC) | 8(A) |
| Pd - Power Dissipation | 1.75W |
| Minimum DC Current Gain | 60 |
| Transistor Configuration | Single |
| Collector-Emitter Voltage | 80(V) |
| Maximum Power Dissipation | 1.75 W |
| Maximum Operating Frequency | 85 MHz |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum DC Collector Current | 8A |
| Maximum Emitter Base Voltage | 5 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 80 V |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage | 80V |
| Operating Temperature Classification | Military |
| Hfe при напряжении к-э, В | 1 |
| Hfe при токе коллектора, А | 4 |
| Диапазон рабочих температур, оС | -55…150 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 20 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 8 |
| Статический коэффициент передачи тока hfe мин | 40 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 85 |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 80 |