Моя заявка (0)
Транзистор MJD44H11

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8059184776
Артикул
MJD44H11
Бренд
ON Semiconductor***
Вес, г
5
Корпус
DPAK/TO-252 | dpak(to-252)
Структура
npn
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт
20 Вт(при температуре корпуса 25°C)
Цена по запросу
(от 57 ₽)
Минимальный заказ: 100 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярный силовой транзистор MJD44H11 от ON Semiconductor (onsemi) предназначен для использования в качестве быстродействующего переключателя, в схемах управления двигателями и преобразователях напряжения. Структура - NPN. Макс. напр. к-б (Uкбо макс), В - 80 В. Макс. напр. к-э (Uкэо макс), В - 80 В. Максимально допустимый ток к (Iк макс), А - 8 А (постоянный), 16 А (импульсный). Статический коэффициент передачи тока h21э мин - 40 (при Iк = 4 А). Статический коэффициент передачи тока h21э макс - не нормируется жестко (типовое значение около 60-100 при средних токах). Граничная частота коэффициента передачи тока fгр, МГц - 50 МГц. Максимальная рассеиваемая мощность, Вт - 20 Вт (при температуре корпуса 25°C). Корпус - DPAK (TO-252). Особенности: Низкое напряжение насыщения : Максимальное значение составляет всего 1.0 В при токе 8 А, что минимизирует нагрев. Скорость : Малое время выключения делает его пригодным для высокочастотных ШИМ-приложений. Комплиментарная пара : Для него существует P-N-P транзистор MJD45H11 .

Технические параметры

Вес, г5
КорпусDPAK/TO-252 | dpak(to-252)
Структураnpn
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт20 Вт(при температуре корпуса 25°C)
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)8 | 8 А(постоянный), 16 А(импульсный)
Статический коэффициент передачи тока h21э мин40(при Iк = 4 А)
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц50 МГц
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В80 В
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В80 В

Техническая документация