MJD44H11-1G, Bipolar Transistors - BJT 8A 80V 20W NPN
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005371452
- Артикул
- MJD44H11-1G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Brand:
- onsemi
- Packaging:
- Tube
- Вес, г
- 0.91
- Technology:
- Si
Цена по запросу
(от 160 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT 8A 80V 20W NPN
Технические параметры
| Brand: | onsemi |
| Packaging: | Tube |
| Вес, г | 0.91 |
| Technology: | Si |
| Длина: | 6.73 mm |
| Серия: | MJD44H11 |
| Subcategory: | Transistors |
| Manufacturer: | onsemi |
| Package/Case: | IPAK-3 |
| Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
| Высота: | 6.35 mm |
| Ширина: | 2.38 mm |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Transistor Type | NPN |
| Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
| Упаковка: | Tube |
| Структура | npn |
| Transistor Polarity: | NPN |
| Технология: | Si |
| Collector Current (Ic) | 8A |
| Factory Pack Quantity: | 75 |
| Power Dissipation (Pd) | 1.75W |
| Вид монтажа: | Through Hole |
| Pd - Power Dissipation: | 20 W |
| Тип продукта: | BJTs - Bipolar Transistors |
| Transition Frequency (fT) | 85MHz |
| Конфигурация: | Single |
| Подкатегория: | Transistors |
| Gain Bandwidth Product fT: | 85 MHz |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 5 V |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 40@4A, 1V |
| Торговая марка: | ON Semiconductor |
| Упаковка / блок: | IPAK-3 |
| Continuous Collector Current: | 8 A |
| Maximum DC Collector Current: | 8 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| DC Collector/Base Gain hFE Min: | 60 |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 1uA |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 80 V |
| Категория продукта: | Биполярные транзисторы - BJT |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1 V |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 80V |
| Полярность транзистора: | NPN |
| Pd - рассеивание мощности: | 20 W |
| Размер фабричной упаковки: | 75 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO): | 5 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 1V@8A, 400mA |
| Непрерывный коллекторный ток: | 8 A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO): | 5 V |
| Минимальная рабочая температура: | - 55 C |
| Максимальная рабочая температура: | + 150 C |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 8 |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: | 80 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора: | 8 A |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: | 1 V |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe): | 60 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT): | 85 MHz |