MJD42C1G, Trans GP BJT PNP 100V 6A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8001630552
- Артикул
- MJD42C1G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Вес, г
- 0.05
- Длина
- 6.73 mm (Max)
- Серия
- MJD42C
- Высота
- 6.35 mm (Max)
Цена по запросу
(от 120 ₽)
Минимальный заказ: 752 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT 6A 100V 20W PNP
Технические параметры
| Вес, г | 0.05 |
| Длина | 6.73 mm (Max) |
| Серия | MJD42C |
| Высота | 6.35 mm (Max) |
| Ширина | 2.38 mm (Max) |
| Упаковка | Tube |
| Структура | pnp |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка / блок | IPAK-3 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Полярность транзистора | PNP |
| Pd - рассеивание мощности | 1.75 W |
| Размер фабричной упаковки | 75 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 100 V |
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 6 |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 100 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 6 A |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 30 at 0.3 A at 4 V, 15 at 3 A at 4 V |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 3 MHz |