MJD41CT4G, Транзистор
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8041520785
- Артикул
- MJD41CT4G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Tab
- Tab
- PPAP
- No
- SVHC
- Yes
- Type
- NPN
Цена по запросу
(от 710 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT 6A 100V 20W NPN
Технические параметры
| Tab | Tab |
| PPAP | No |
| SVHC | Yes |
| Type | NPN |
| EU RoHS | Compliant with Exemption |
| Material | Si |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | No |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Вес, г | 0.05 |
| Длина | 6.73 mm |
| Серия | MJD41C |
| PCB changed | 2 |
| Part Status | Active |
| Высота | 2.38 mm |
| Ширина | 6.22 mm |
| Configuration | Single |
| Package Width | 6.22(Max) |
| Package Length | 6.73(Max) |
| Product Category | Bipolar Power |
| Supplier Package | DPAK |
| Standard Package Name | TO-252 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| SVHC Exceeds Threshold | Yes |
| Minimum DC Current Gain | 30@0.3A@4V|15@3A@4V |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка / блок | DPAK-3 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 1750 |
| Maximum DC Collector Current (A) | 6 |
| Maximum Emitter Base Voltage (V) | 5 |
| Maximum Collector Base Voltage (V) | 100 |
| Maximum Transition Frequency (MHz) | 3(Min) |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -65 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 100 |
| Полярность транзистора | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 20 W |
| Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) | 1.5@600mA@6A |
| Размер фабричной упаковки | 2500 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 6 A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 100 V |
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 100 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 6 A |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.5 V |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 30 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 3 MHz |