Моя заявка (0)

MJD350T4, Транзистор: PNP, биполярный, 300В, 0,5А, 15Вт, DPAK

MJD350T4, Транзистор: PNP, биполярный, 300В, 0,5А, 15Вт, DPAK

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8048099435
Артикул
MJD350T4
Бренд
STMicroelectronics
Вес, г
0.4
Длина
6.6 mm (Max)
Серия
MJD350
Высота
2.4 mm (Max)
Цена по запросу
(от 78,10 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор: PNP, биполярный, 300В, 0,5А, 15Вт, DPAK Характеристики Категория Транзистор Тип биполярный Вид PNP

Технические параметры

Вес, г0.4
Длина6.6 mm (Max)
СерияMJD350
Высота2.4 mm (Max)
Корпусdpak(to-252)
Ширина6.2 mm (Max)
Структураpnp
Transistor PolarityPNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo
Вид монтажаSMD/SMT
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Торговая маркаSTMicroelectronics
Упаковка / блокTO-252-3
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
Полярность транзистораPNP
Pd - рассеивание мощности15 W
Размер фабричной упаковки2500
Напряжение эмиттер-база (VEBO)3 V
Непрерывный коллекторный ток0.5 A
Напряжение коллектор-база (VCBO)300 V
Минимальная рабочая температура65 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт15
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)0.5
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.300 V
Максимальный постоянный ток коллектора750 mA
Статический коэффициент передачи тока h21э мин30
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.240
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)30
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В300

Техническая документация