Моя заявка (0)

MJD340T4G, 300V 15W 30@50mA,10V 500mA 10MHz 1V@100mA,10mA NPN -65°C~+150°C@(Tj) TO-252-2(DPAK) BIpolar TransIstors - BJT

MJD340T4G, 300V 15W 30@50mA,10V 500mA 10MHz 1V@100mA,10mA NPN -65°C~+150°C@(Tj) TO-252-2(DPAK) BIpolar TransIstors - BJT

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8017600624
Артикул
MJD340T4G
Бренд
ON Semiconductor***
Brand
ON Semiconductor
Series
MJD340
Packaging
Cut Tape or Reel
Вес, г
0.4
Цена по запросу
(от 57,02 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

BrandON Semiconductor
SeriesMJD340
PackagingCut Tape or Reel
Вес, г0.4
SubcategoryTransistors
ManufacturerON Semiconductor
Product TypeBJTs-Bipolar Transistors
КорпусDPAK/TO-252
ConfigurationSingle
Mounting StyleSMD/SMT
Package / CaseTO-252-3
Transistor TypeNPN
Product CategoryBipolar Transistors-BJT
Структураnpn
Transistor PolarityNPN
Factory Pack Quantity2500
Collector Current (Ic)500mA
Pd - Power Dissipation15 W
Power Dissipation (Pd)15W
Transition Frequency (fT)10MHz
Emitter- Base Voltage VEBO3 V
Collector- Base Voltage VCBO300 V
Continuous Collector Current0.5 A
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce)30@50mA, 10V
Maximum DC Collector Current0.5 A
Maximum Operating Temperature+150 C
Minimum Operating Temperature-65 C
DC Collector/Base Gain Hfe Min30
Collector Cut-Off Current (Icbo)100uA
Collector- Emitter Voltage VCEO Max300 V
Collector-Emitter Saturation Voltage1 V
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo)300V
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib)1V@100mA, 10mA
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц10

Техническая документация