Моя заявка (0)

MJD340G, Транзистор: NPN, биполярный, 300В, 0,5А, 15Вт, DPAK

MJD340G, Транзистор: NPN, биполярный, 300В, 0,5А, 15Вт, DPAK

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8017534405
Артикул
MJD340G
Бренд
ON Semiconductor***
Tab
Tab
PPAP
No
RoHS
Details
Type
NPN
Цена по запросу
(от 230 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор: NPN, биполярный, 300В, 0,5А, 15Вт, DPAK Характеристики Категория Транзистор Тип биполярный Вид NPN

Технические параметры

TabTab
PPAPNo
RoHSDetails
TypeNPN
BrandON Semiconductor
Width6.22 mm
Height1.5 mm
Length6.73 mm
SeriesMJD340
ВидNPN
Типбиполярный
EU RoHSCompliant with Exemption
MaterialSi
MountingSurface Mount
ECCN (US)EAR99
PackagingTube
Pin Count3
AutomotiveNo
Lead ShapeGull-wing
Вес, г0.33
PCB changed2
Part StatusActive
ManufacturerON Semiconductor
Package TypeDPAK(TO-252)
КорпусTO-252/DPAK
ConfigurationSingle
Mounting TypeSurface Mount
Mounting StyleSMD/SMT
Package / CaseTO-252-3
Transistor TypeNPN
Product CategoryBipolar Power
Supplier PackageDPAK
Структураnpn
Transistor PolarityNPN
Factory Pack Quantity1800
Standard Package NameTO-252
Pd - Power Dissipation15 W
Minimum DC Current Gain30 50mA 10V
Transistor ConfigurationSingle
Maximum Power Dissipation15 W
Emitter- Base Voltage VEBO3 V
Maximum Operating Frequency10 MHz
Number of Elements per Chip1
Collector- Base Voltage VCBO300 V
Continuous Collector Current0.5 A
Maximum DC Collector Current0.5 A
Maximum Emitter Base Voltage3 V
Maximum Operating Temperature+150 C
Minimum Operating Temperature-65 C
DC Collector/Base Gain hfe Min30
Maximum Collector Base Voltage300 V dc
Maximum Power Dissipation (mW)1560
Maximum DC Collector Current (A)0.5
Maximum Emitter Base Voltage (V)3
Maximum Collector Emitter Voltage300 V
Maximum Collector Base Voltage (V)300
Collector- Emitter Voltage VCEO Max300 V
Maximum Operating Temperature (°C)150
Minimum Operating Temperature (°C)-65
Collector-Emitter Saturation Voltage1 V
Operating Junction Temperature (°C)-65 to 150
Maximum Collector-Emitter Voltage (V)300
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)1 10mA 100mA
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)0.5

Техническая документация