Моя заявка (0)

MJD340-13, Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

MJD340-13, Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8001059072
Артикул
MJD340-13
Бренд
DIODES INC.
Brand:
Diodes Incorporated
Series:
MJD340
Packaging
Cut Tape(CT)
Вес, г
0.26
Цена по запросу
(от 32 ₽)
Минимальный заказ: 2500 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

100nA 300 В 15 Вт 30 при 50 мА, 10 В 500 мА 10 МГц 500 мВ при 100 мА,10 мА NPN -55°C ~+150°C@ (Tj) Биполярные транзисторы DPAK-3 - BJT ROHS

Технические параметры

Brand:Diodes Incorporated
Series:MJD340
PackagingCut Tape(CT)
Вес, г0.26
Part StatusDiscontinued at Digi-Key
Power - Max1.56W
Technology:Si
ManufacturerDiodes Incorporated
Subcategory:Transistors
КорпусTO-252/DPAK
Manufacturer:Diodes Incorporated
Mounting TypeSurface Mount
Product Type:BJTs-Bipolar Transistors
Configuration:Single
Package / CaseTO-252-3, DPak(2 Leads+Tab), SC-63
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:DPAK-3
Transistor TypeNPN
Base Part NumberMJD340
Standard Package1
Product Category:Bipolar Transistors-BJT
Структураnpn
Transistor Polarity:NPN
Operating Temperature-55В°C ~ 150В°C(TJ)
Pd - Power Dissipation:15 W
Supplier Device PackageDPAK
DC Current Gain hFE Max:30 at 50 mA, 10 V
Gain Bandwidth Product fT:10 MHz
Emitter- Base Voltage VEBO:7 V
Collector- Base Voltage VCBO:300 V
Maximum DC Collector Current:500 mA
Current - Collector (Ic) (Max)500mA
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
DC Collector/Base Gain hfe Min:30 at 50 mA, 10 V
Current - Collector Cutoff (Max)100ВµA(ICBO)
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:300 V
Collector-Emitter Saturation Voltage:500 mV
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce30 @ 50mA, 10V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)300V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:2500
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)0.5

Техническая документация