Моя заявка (0)

MJD32CT4G, Транзистор силовой биполярный DPAK

MJD32CT4G, Транзистор силовой биполярный DPAK

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8017530171
Артикул
MJD32CT4G
Бренд
ON Semiconductor***
Brand
ON Semiconductor/Fairchild
Series
MJD32C
Packaging
Cut Tape or Reel
Pin Count
3
Цена по запросу
(от 64,50 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярный транзистор, PNP, 100 В, 3 А, 1.56Вт

Технические параметры

BrandON Semiconductor/Fairchild
SeriesMJD32C
PackagingCut Tape or Reel
Pin Count3
Вес, г1
SubcategoryTransistors
ManufacturerON Semiconductor
Package TypeDPAK(TO-252)
Product TypeBJTs-Bipolar Transistors
КорпусDPAK/TO-252AA
ConfigurationSingle
Mounting TypeSurface Mount
Mounting StyleSMD/SMT
Package / CaseTO-252-3
Transistor TypePNP
Product CategoryBipolar Transistors-BJT
Transistor PolarityPNP
Factory Pack Quantity2500
Pd - Power Dissipation1.56 W
Minimum DC Current Gain10
Transistor ConfigurationSingle
Gain Bandwidth Product FT3 MHz
Maximum Power Dissipation1.56 W
Emitter- Base Voltage VEBO5 V
Maximum Operating Frequency3 MHz
Number of Elements per Chip1
Collector- Base Voltage VCBO100 V
Continuous Collector Current3 A
Maximum DC Collector Current3 A
Maximum Emitter Base Voltage5 V
Maximum Operating Temperature+150 C
Minimum Operating Temperature-65 C
DC Collector/Base Gain Hfe Min25
Maximum Collector Base Voltage100 V
Maximum Collector Emitter Voltage-100 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max100 V
Collector-Emitter Saturation Voltage1.2 V

Техническая документация