MJD32CJ, Bipolar Transistors - BJT SOT428 100V 3A PNP HI PWR BJT
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070186139
- Артикул
- MJD32CJ
- Бренд
- Nexperia B.V.
- Вес, г
- 0.32
- Упаковка
- Reel, Cut Tape
- Power Dissipation
- 15Вт
- Технология
- Si
Цена по запросу
(от 44,96 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT TRANS BIPOLAR
Технические параметры
| Вес, г | 0.32 |
| Упаковка | Reel, Cut Tape |
| Power Dissipation | 15Вт |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| DC Current Gain hFE Min | 10hFE |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Торговая марка | Nexperia |
| Упаковка / блок | DPAK-3 |
| Continuous Collector Current | 3А |
| Collector Emitter Voltage Max | 100В |
| DC Усиление Тока hFE | 10hFE |
| Линейка Продукции | MJD |
| Частота Перехода ft | 3МГц |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Полярность транзистора | PNP |
| Pd - рассеивание мощности | 15 W |
| Другие названия товара № | 934660545118 |
| Размер фабричной упаковки | 2500 |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-252(DPAK) |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 3 A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 100 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 100 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 5 A |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.2 V |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 50 |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 10 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 3 MHz |