MJD32C-13, Bipolar Transistors - BJT 100V 3A PNP SMT
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005059984
- Артикул
- MJD32C-13
- Бренд
- DIODES INC.
- Brand:
- Diodes Incorporated
- Вес, г
- 0.33
- Technology:
- Si
- Subcategory:
- Transistors
Цена по запросу
(от 98 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Вес, г | 0.33 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Package/Case: | TO-252-3 |
| Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
| Структура | pnp |
| Transistor Polarity: | PNP |
| Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Pd - Power Dissipation: | 2.1 W |
| Gain Bandwidth Product fT: | 3 MHz |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 6 V |
| Collector- Base Voltage VCBO: | 100 V |
| Maximum DC Collector Current: | 3 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 100 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.2 V |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 3 |