MJD31T4G, 40V 15W 10@3A,4V 3A NPN TO-252-2(DPAK) BIpolar TransIstors - BJT
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8026221664
- Артикул
- MJD31T4G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Вес, г
- 0.44
- Длина
- 6.73 mm
- Серия
- MJD31
- Высота
- 2.38 mm
Цена по запросу
(от 23,19 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT 3A 40V 15W NPN
Технические параметры
| Вес, г | 0.44 |
| Длина | 6.73 mm |
| Серия | MJD31 |
| Высота | 2.38 mm |
| Корпус | DPAK/TO-252 |
| Ширина | 6.22 mm |
| Структура | npn |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Торговая марка | ON Semiconductor / Fairchild |
| Упаковка / блок | TO-252-3 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Полярность транзистора | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 1.56 W |
| Размер фабричной упаковки | 2500 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 3 A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 40 V |
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 3 |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 40 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 3 A |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.2 V |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 25 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 3 MHz |