Моя заявка (0)

MJD31CT4G, Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

MJD31CT4G, Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8001011460
Артикул
MJD31CT4G
Бренд
ON Semiconductor***
Pin Count
3
Вес, г
1
Package Type
DPAK(TO-252)
Корпус
DPAK/TO-252AA
Цена по запросу
(от 47 ₽)
Минимальный заказ: 2500 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярный транзистор, NPN, 100 В, 3 А

Технические параметры

Pin Count3
Вес, г1
Package TypeDPAK(TO-252)
КорпусDPAK/TO-252AA
Mounting TypeSurface Mount
Transistor TypeNPN
Структураnpn
Transistor ConfigurationSingle
Maximum Power Dissipation1.56 W
Number of Elements per Chip1
Maximum Emitter Base Voltage5 V
Maximum Operating Temperature+150 °C
Maximum Collector Base Voltage100 V
Maximum Collector Emitter Voltage100 V
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)3

Техническая документация