Моя заявка (0)
MJD31CRLG, Bipolar Transistors - BJT 3A 100V 15W NPN

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8006232244
Артикул
MJD31CRLG
Бренд
ON Semiconductor***
MSL
MSL 1-Unlimited
Brand:
onsemi
Вес, г
0.01
No. of Pins
3Pins
Цена по запросу
(от 112,71 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Полярность транзистора: NPN; Напряжение коллектор-эмиттер V(br) ceo: 100 В; Частота переxода ft: 3 МГц; Рассеиваемая мощность Pd: 15 Вт; Ток коллектора постоянного тока: 3 А; Коэффициент усиления по постоянному току hFE: 10hFE; Транзистор

Технические параметры

MSLMSL 1-Unlimited
Brand:onsemi
Вес, г0.01
No. of Pins3Pins
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Manufacturer:onsemi
Package/Case:TO-252-3
Product Type:BJTs-Bipolar Transistors
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Power Dissipation15W
Product Category:Bipolar Transistors-BJT
Структураnpn
Transistor MountingSurface Mount
Transistor PolarityNPN
Transistor Polarity:NPN
Transition Frequency3MHz
Transistor Case StyleTO-252(DPAK)
Factory Pack Quantity:1800
DC Current Gain hFE Min10hFE
Pd - Power Dissipation:15 W
Operating Temperature Max150°C
Gain Bandwidth Product fT:3 MHz
Emitter- Base Voltage VEBO:5 V
Continuous Collector Current3A
Collector Emitter Voltage Max100V
Collector- Base Voltage VCBO:100 V
Continuous Collector Current:3 A
Maximum DC Collector Current:3 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-65 C
DC Collector/Base Gain hFE Min:25
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:100 V
Collector-Emitter Saturation Voltage:1.2 V
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)3

Техническая документация