MJD31CRLG,Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8000247444
- Артикул
- MJD31CRLG
- Бренд
- ON Semiconductor***
- MSL
- MSL 1-Unlimited
- Brand:
- onsemi
- Вес, г
- 0.426
- No. of Pins
- 3Pins
Цена по запросу
(от 166 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Полярность транзистора: NPN; Напряжение коллектор-эмиттер V(br) ceo: 100 В; Частота переxода ft: 3 МГц; Рассеиваемая мощность Pd: 15 Вт; Ток коллектора постоянного тока: 3 А; Коэффициент усиления по постоянному току hFE: 10hFE; Транзистор
Технические параметры
| MSL | MSL 1-Unlimited |
| Brand: | onsemi |
| Вес, г | 0.426 |
| No. of Pins | 3Pins |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Корпус | DPAK/TO-252 |
| Manufacturer: | onsemi |
| Package/Case: | TO-252-3 |
| Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Power Dissipation | 15W |
| Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
| Структура | npn |
| Transistor Mounting | Surface Mount |
| Transistor Polarity | NPN |
| Transistor Polarity: | NPN |
| Transition Frequency | 3MHz |
| Transistor Case Style | TO-252(DPAK) |
| Factory Pack Quantity: | 1800 |
| DC Current Gain hFE Min | 10hFE |
| Pd - Power Dissipation: | 15 W |
| Operating Temperature Max | 150°C |
| Gain Bandwidth Product fT: | 3 MHz |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 5 V |
| Continuous Collector Current | 3A |
| Collector Emitter Voltage Max | 100V |
| Collector- Base Voltage VCBO: | 100 V |
| Continuous Collector Current: | 3 A |
| Maximum DC Collector Current: | 3 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -65 C |
| DC Collector/Base Gain hFE Min: | 25 |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 100 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.2 V |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 3 |