MJD31CJ, Bipolar Transistors - BJT SOT428 100V 3A NPN HI PWR BJT
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8025549602
- Артикул
- MJD31CJ
- Бренд
- Nexperia B.V.
- ECCN
- EAR99
- Brand
- Nexperia
- HTSUS
- 8541.29.0095
- Package
- Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Цена по запросу
(от 34 ₽)
Минимальный заказ: 2500 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT TRANS BIPOLAR
Технические параметры
| ECCN | EAR99 |
| Brand | Nexperia |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| Packaging | Cut Tape or Reel |
| Technology | Si |
| Вес, г | 0.3 |
| Power - Max | 1.6W |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Subcategory | Transistors |
| Manufacturer | Nexperia |
| Product Type | BJTs-Bipolar Transistors |
| Configuration | Single |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Transistor Type | NPN |
| Product Category | Bipolar Transistors-BJT |
| Упаковка | Reel, Cut Tape |
| Power Dissipation | 15Вт |
| Структура | npn |
| Base Product Number | MJD31 -> |
| Transistor Polarity | NPN |
| Технология | Si |
| Factory Pack Quantity | 2500 |
| Operating Temperature | 150В°C (TJ) |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Frequency - Transition | 3MHz |
| Pd - Power Dissipation | 15 W |
| DC Current Gain HFE Max | 50 |
| DC Current Gain hFE Min | 10hFE |
| Supplier Device Package | DPAK |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Gain Bandwidth Product FT | 3 MHz |
| Emitter- Base Voltage VEBO | 6 V |
| Торговая марка | Nexperia |
| Упаковка / блок | DPAK-3 |
| Collector- Base Voltage VCBO | 100 V |
| Continuous Collector Current | 3 A |
| Maximum DC Collector Current | 5 A |
| Collector Emitter Voltage Max | 100В |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.2V @ 375mA, 3A |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 3A |
| DC Collector/Base Gain Hfe Min | 10 |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1ВµA |
| DC Усиление Тока hFE | 10hFE |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Линейка Продукции | MJD |
| Частота Перехода ft | 3МГц |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 100 V |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Collector-Emitter Saturation Voltage | 1.2 V |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 25 @ 1A, 4V |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 100V |
| Полярность транзистора | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 15 W |
| Другие названия товара № | 934660544118 |
| Размер фабричной упаковки | 2500 |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-252(DPAK) |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 3 A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 100 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 3 |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 100 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 5 A |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.2 V |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 50 |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 10 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 3 MHz |