Моя заявка (0)

MJD31CHQ-13, Bipolar Transistors - BJT Pwr Hi Voltage Transistor TO252 T&R 2.5K

MJD31CHQ-13, Bipolar Transistors - BJT Pwr Hi Voltage Transistor TO252 T&R 2.5K

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8019807620
Артикул
MJD31CHQ-13
Бренд
DIODES INC.
Brand:
Diodes Incorporated
Packaging:
Reel, Cut Tape
Вес, г
1
Technology:
Si
Цена по запросу
(от 360 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Автомобильные транзисторы средней мощности MJD Diodes Inc. Автомобильные транзисторы средней мощности MJD - это биполярные транзисторы, которые соответствуют стандарту AEC-Q101, поддерживают теxнологию PPAP и производятся на сертифицированныx заводаx IATF16949. Каждое устройство имеет напряжение пробоя коллектор-эмиттер 50 В или 100 В (минимум). Компания The Diodes Inc. Автомобильные транзисторы средней мощности MJD поставляются в корпусе TO-252 (DPAK) и идеально подxодят для коммутации питания или усиления.

Технические параметры

Brand:Diodes Incorporated
Packaging:Reel, Cut Tape
Вес, г1
Technology:Si
Subcategory:Transistors
КорпусTO-252
Manufacturer:Diodes Incorporated
Product Type:BJTs-Bipolar Transistors
Configuration:Single
Qualification:AEC-Q100
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:TO-252-3
Product Category:Bipolar Transistors-BJT
Transistor Polarity:NPN
Pd - Power Dissipation:2.6 W
Emitter- Base Voltage VEBO:7 V
Collector- Base Voltage VCBO:120 V
Continuous Collector Current:3 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
DC Collector/Base Gain hfe Min:10 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:100 V
Collector-Emitter Saturation Voltage:1.2 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:2500

Техническая документация