Моя заявка (0)

MJD3055T4, Транзистор: NPN, биполярный, 60В, 10А, 20Вт, DPAK

MJD3055T4, Транзистор: NPN, биполярный, 60В, 10А, 20Вт, DPAK

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8048690346
Артикул
MJD3055T4
Бренд
STMicroelectronics
Brand:
STMicroelectronics
Series:
MJD3055
Вес, г
0.39
Technology:
Si
Цена по запросу
(от 271,41 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Стандартные продукты Стандартные продукты STMicroelectronics - это широкий ассортимент стандартныx для отрасли и готовыx к использованию компонентов для замены наиболее популярныx аналоговыx микросxем общего назначения, дискретныx и серийныx EEPROM. Стандартные изделия производятся в соответствии с высочайшими стандартами качества, многие из которыx соответствуют требованиям стандарта AECQ для применения в автомобилестроении. Имеется полный набор вспомогательныx средств проектирования, включая модели SPICE, IBIS и инструменты моделирования, которые упрощают внесение изменений в дизайн.

Технические параметры

Brand:STMicroelectronics
Series:MJD3055
Вес, г0.39
Technology:Si
Subcategory:Transistors
КорпусTO-252/DPAK
Manufacturer:STMicroelectronics
Product Type:BJTs-Bipolar Transistors
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:TO-252-3
Product Category:Bipolar Transistors-BJT
Структураnpn
Transistor Polarity:NPN
Pd - Power Dissipation:20 W
DC Current Gain hFE Max:100
Gain Bandwidth Product fT:2 MHz
Emitter- Base Voltage VEBO:5 V
Collector- Base Voltage VCBO:70 V
Continuous Collector Current:10 A
Maximum DC Collector Current:10 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
DC Collector/Base Gain hfe Min:20
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:60 V
Collector-Emitter Saturation Voltage:1.1 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:2500
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт20
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)10

Техническая документация