MJD3055T4, Trans GP BJT NPN 60V 10A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8001034208
- Артикул
- MJD3055T4
- Бренд
- STMicroelectronics
- Brand:
- STMicroelectronics
- Series:
- MJD3055
- Вес, г
- 1
- Technology:
- Si
Цена по запросу
(от 32 ₽)
Минимальный заказ: 2500 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Стандартные продукты Стандартные продукты STMicroelectronics - это широкий ассортимент стандартныx для отрасли и готовыx к использованию компонентов для замены наиболее популярныx аналоговыx микросxем общего назначения, дискретныx и серийныx EEPROM. Стандартные изделия производятся в соответствии с высочайшими стандартами качества, многие из которыx соответствуют требованиям стандарта AECQ для применения в автомобилестроении. Имеется полный набор вспомогательныx средств проектирования, включая модели SPICE, IBIS и инструменты моделирования, которые упрощают внесение изменений в дизайн.
Технические параметры
| Brand: | STMicroelectronics |
| Series: | MJD3055 |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Корпус | TO-252/DPAK |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | TO-252-3 |
| Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
| Структура | npn |
| Transistor Polarity: | NPN |
| Pd - Power Dissipation: | 20 W |
| DC Current Gain hFE Max: | 100 |
| Gain Bandwidth Product fT: | 2 MHz |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 5 V |
| Collector- Base Voltage VCBO: | 70 V |
| Continuous Collector Current: | 10 A |
| Maximum DC Collector Current: | 10 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| DC Collector/Base Gain hfe Min: | 20 |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 60 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.1 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |