MJD243G, Bipolar Transistors - BJT 4A 100V 12.5W NPN
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004738650
- Артикул
- MJD243G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Вес, г
- 0.61
- Длина
- 6.73 mm
- Серия
- MJD243
- Высота
- 2.38 mm
Цена по запросу
(от 116 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT 4A 100V 12.5W NPN
Технические параметры
| Вес, г | 0.61 |
| Длина | 6.73 mm |
| Серия | MJD243 |
| Высота | 2.38 mm |
| Ширина | 6.22 mm |
| Упаковка | Tube |
| Структура | npn |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка / блок | TO-252-3 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Полярность транзистора | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 12.5 W |
| Размер фабричной упаковки | 75 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 7 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 4 A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 100 V |
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 4 |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 100 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 4 A |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.6 V |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 40 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 40 MHz |