Моя заявка (0)

MJD210T4G, Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, 25 V, 5 A, 1.4 W, TO-252 (DPAK), Surface Mount

MJD210T4G, Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, 25 V, 5 A, 1.4 W, TO-252 (DPAK), Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8000301585
Артикул
MJD210T4G
Бренд
ON Semiconductor***
Pin Count
3
Вес, г
0.43
Package Type
DPAK(TO-252)
Корпус
DPAK/TO-252
Цена по запросу
(от 270 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

Pin Count3
Вес, г0.43
Package TypeDPAK(TO-252)
КорпусDPAK/TO-252
Mounting TypeSurface Mount
Transistor TypePNP
Power Dissipation1.4Вт
Структураpnp
DC Current Gain hFE Min10hFE
Minimum DC Current Gain45
Transistor ConfigurationSingle
Maximum Power Dissipation12.5 W
Maximum Operating Frequency10 MHz
Number of Elements per Chip1
Continuous Collector Current5А
Maximum DC Collector Current5 A
Maximum Emitter Base Voltage8 V
Collector Emitter Voltage Max25В
Maximum Operating Temperature+150 °C
Maximum Collector Base Voltage40 V dc
DC Усиление Тока hFE10hFE
Maximum Collector Emitter Voltage25 V
Частота Перехода ft65МГц
Количество Выводов4вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Полярность ТранзистораPNP
Стиль Корпуса ТранзистораTO-252(DPAK)
Максимальная Рабочая Температура150 C
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)5
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный

Техническая документация