MJD210G, Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, 25 V, 5 A, 1.4 W, TO-252 (DPAK), Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8666144617
- Артикул
- MJD210G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Series
- -
- Вид
- PNP
- Тип
- биполярный
- Packaging
- Cut Tape(CT)
Цена по запросу
(от 108 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: PNP, биполярный, 25В, 5А, 12,5Вт, DPAK Характеристики Категория Транзистор Тип биполярный Вид PNP
Технические параметры
| Series | - |
| Вид | PNP |
| Тип | биполярный |
| Packaging | Cut Tape(CT) |
| Pin Count | 3+Tab |
| Вес, г | 0.45 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1.4W |
| Manufacturer | ON Semiconductor |
| Package Type | DPAK |
| Корпус | DPAK/TO-252 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-252-3, DPak(2 Leads+Tab), SC-63 |
| Transistor Type | PNP |
| Base Part Number | MJD210 |
| Структура | pnp |
| Operating Temperature | -65В°C ~ 150В°C(TJ) |
| Frequency - Transition | 65MHz |
| Minimum DC Current Gain | 45 |
| Supplier Device Package | DPAK |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 12.5 W |
| Maximum Operating Frequency | 10 MHz |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum DC Collector Current | 5 A |
| Maximum Emitter Base Voltage | 8 V dc |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.8V @ 1A, 5A |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 5A |
| Maximum Collector Base Voltage | 40 V dc |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA(ICBO) |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 25 V dc |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 45 @ 2A, 1V |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 25V |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 5 |