Моя заявка (0)

MJD210G, Транзистор: PNP, биполярный, 25В, 5А, 12,5Вт, DPAK

MJD210G, Транзистор: PNP, биполярный, 25В, 5А, 12,5Вт, DPAK

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8017542789
Артикул
MJD210G
Бренд
ON Semiconductor***
Series
-
Вид
PNP
Тип
биполярный
Packaging
Cut Tape(CT)
Цена по запросу
(от 83 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор: PNP, биполярный, 25В, 5А, 12,5Вт, DPAK Характеристики Категория Транзистор Тип биполярный Вид PNP

Технические параметры

Series-
ВидPNP
Типбиполярный
PackagingCut Tape(CT)
Pin Count3+Tab
Вес, г0.45
Part StatusActive
Power - Max1.4W
ManufacturerON Semiconductor
Package TypeDPAK
КорпусTO-252/DPAK
Mounting TypeSurface Mount
Package / CaseTO-252-3, DPak(2 Leads+Tab), SC-63
Transistor TypePNP
Base Part NumberMJD210
Структураpnp
Operating Temperature-65В°C ~ 150В°C(TJ)
Frequency - Transition65MHz
Minimum DC Current Gain45
Supplier Device PackageDPAK
Transistor ConfigurationSingle
Maximum Power Dissipation12.5 W
Maximum Operating Frequency10 MHz
Number of Elements per Chip1
Maximum DC Collector Current5 A
Maximum Emitter Base Voltage8 V dc
Maximum Operating Temperature+150 °C
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector (Ic) (Max)5A
Maximum Collector Base Voltage40 V dc
Current - Collector Cutoff (Max)100nA(ICBO)
Maximum Collector Emitter Voltage25 V dc
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce45 @ 2A, 1V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)25V
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)5
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В25

Техническая документация